如果應(yīng)用要求2kV以上的隔離電壓、60%以上的轉(zhuǎn)換器效率或者標(biāo)準(zhǔn)組件可靠的有效性，那么分立設(shè)計(jì)就是一種能夠替代集成組件的低成本方案。分立DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)是需要做大量的工作——選擇穩(wěn)定的振蕩器結(jié)構(gòu)和先斷后通電路，選擇可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)邏輯門有效驅(qū)動(dòng)的MOSFET，適宜實(shí)施溫度和長(zhǎng)期可靠性測(cè)試。所有這些努力都要花費(fèi)時(shí)間和資金。因此，在倉(cāng)促進(jìn)行這樣一個(gè)計(jì)劃以前，設(shè)計(jì)人員應(yīng)該考慮到下列事項(xiàng)：集成組件通常已通過(guò)溫度測(cè)試，并且擁有其他工業(yè)資質(zhì)。這些組件不僅僅是最可靠的解決方案，而且還擁有較快的上市時(shí)間。
隔離式3.3V到5V轉(zhuǎn)換器通常用于遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò)，這種網(wǎng)絡(luò)中總線節(jié)點(diǎn)控制器由一個(gè)3.3V電源工作以節(jié)省電量，而總線電壓為5V，以保證在遠(yuǎn)距離傳輸過(guò)程中的信號(hào)完整性并提供高驅(qū)動(dòng)能力。盡管市場(chǎng)上已經(jīng)有了3.3V到5V轉(zhuǎn)換的隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器組件，但集成的3.3V到5V轉(zhuǎn)換器仍然很難找到。即使找到，這些特定的轉(zhuǎn)換器（特別是那些具有穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器）通常都有較長(zhǎng)的產(chǎn)品交付時(shí)間、價(jià)格相對(duì)昂貴并且一般都有一定的隔離電壓限制。
不穩(wěn)定輸出轉(zhuǎn)換器每1000片的起售定價(jià)一般為4.50到5.00美元，而穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器通常為此價(jià)格的兩倍，大約為10.00美元或更高。因此，合理的做法是購(gòu)買具有不穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器，或者利用降壓電容對(duì)輸出進(jìn)行緩沖，或者將其送入低成本、低壓降穩(wěn)壓器 （LDO），例如：TI的TPS76650。
圖1所示的分立DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)僅使用了一些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)組件（例如：邏輯IC和MOSFET等），服務(wù)于變壓器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)用于穩(wěn)定輸出電壓的LDO。該電路使用許多通孔組件制成樣機(jī)，從而使其比集成組件的體積要大，但是由于使用TI的Little Logic?器件，板空間得到了極大縮減。
這種設(shè)計(jì)的主要好處是較少的材料清單 （BOM），以及為1到6kV范圍隔離電壓選擇隔離變壓器的自由度。我們的目標(biāo)是：通過(guò)使變壓器驅(qū)動(dòng)器級(jí)為穩(wěn)定輸出全集成DC/DC轉(zhuǎn)換器和獨(dú)立變壓器驅(qū)動(dòng)器提供一款低成本的替代方案。
工作原理
低成本、隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器一般為推挽式驅(qū)動(dòng)器類型。工作原理非常簡(jiǎn)單。帶推挽輸出級(jí)的方波振蕩器驅(qū)動(dòng)一個(gè)中心抽頭變壓器，其輸出經(jīng)過(guò)整流，可以穩(wěn)定或非穩(wěn)定 DC 形式使用。一個(gè)重要的功能性要求是方波必須具有50%占空比，以確保變壓器鐵心對(duì)稱磁化。另一個(gè)要求是磁化電壓 （E） 和磁化時(shí)間 （T） 的乘積（稱作ET乘積，單位為Vμs），不得超出由其廠商規(guī)定的變壓器典型 ET乘積。我們還必須緊挨振蕩器安裝使用先斷后通電路，以防止推挽輸出級(jí)的兩個(gè)變壓器鐵芯柱同時(shí)導(dǎo)電從而引起電路故障。
分立設(shè)計(jì)
著名的三反相門振蕩器由U1a、U2a和U2b組成，選擇它是因?yàn)樗诠╇姴▌?dòng)方面較為穩(wěn)定。通過(guò)一個(gè)100-pF陶瓷電容器（COSC）和兩個(gè)10-kΩ電阻器（ROSC1和ROSC2），它的正常頻率被設(shè)定為330kHz。在3.0-V到3.6-V電源電壓波動(dòng)范圍內(nèi)，振蕩器擁有接近50%的占空比，以及低于±1.5%的最大頻率波動(dòng)。圖2顯示了ROSC1和ROSC2（TP1） 相加點(diǎn)和振蕩器輸出 （TP2） 處的波形。所有電壓均為參考電路基準(zhǔn)電壓測(cè)得。
圖2 TP1和TP2的振蕩器波形
施密特觸發(fā)電路NAND柵極（U1c、U1d）實(shí)現(xiàn)先斷后通功能，以避免MOSFET導(dǎo)通階段交疊。其他兩個(gè)NAND門（U2c，U2d）配置為反相緩沖器，從而產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)N通道MOSFET（Q1、Q2）必需的正確信號(hào)極性。圖3顯示了完整的先斷后通動(dòng)作。為了適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)邏輯門的有限驅(qū)動(dòng)能力，我們選擇了MOSFET，因?yàn)槠漭^低的總電荷和較短的響應(yīng)時(shí)間。
兩個(gè)二極管（D1、D2）均為快速肖特基整流器，在滿負(fù)載電流條件下（200 mA 時(shí) VFW 《 0.4 V）提供低正向電壓的同時(shí)進(jìn)行全波整流。從這些二極管后面的降壓電容器 （Cb3） 直接獲得輸出電壓是可能的。這種情況下，輸出不穩(wěn)定，但具有 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的最大效率。然而，設(shè)計(jì)人員必須保證不超出受影響電路的最大電源電壓，其在低負(fù)載或開(kāi)路狀態(tài)下時(shí)較容易發(fā)生。如果最小負(fù)載條件下的非穩(wěn)定輸出電壓過(guò)高，則必需在全波整流器之后使用一個(gè)線性穩(wěn)壓器，以提供穩(wěn)定的輸出電源電壓。
線性穩(wěn)壓器的主要好處是低紋波輸出。其他好處還包括短路保護(hù)和超溫關(guān)閉。但是，主要缺點(diǎn)是效率非常低。
圖5顯示了4.93V輸出電壓條件下圖1所示電路的紋波，而圖6將該電路的效率同具有穩(wěn)定輸出的集成DC/DC組件進(jìn)行了對(duì)比。
下表提供了分立式DCDC轉(zhuǎn)換器的BOM。請(qǐng)注意，旁路電容器值大于常用于一些低速應(yīng)用的10 nF。這是由于高速CMOS技術(shù)（例如：AHC、AC和LVC等）具有高動(dòng)態(tài)負(fù)載，因此旁路電容器值必須為0.1 μF或者更高以保證正常運(yùn)行。這對(duì)驅(qū)動(dòng)MOSFET的反相緩沖器特別重要，其旁路電容器值為0.68 μF。